金融界2025年1月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳市斯迈得半导体有限公司请求一项名为“一种AC线性抗浪涌耐高压模组”的专利，揭露号CN 119382053 A，请求日期为2024年11月。专利摘要显现，本发明揭露一种AC线性抗浪涌耐高压模组，经过添加绝缘介质层的厚度来进步共模浪涌的应受力，在绝缘介质层的厚度为360um以上时，耐共模浪涌应受力可抵达4KV以上。使得模组在面临高共模浪涌电压时，PCB板不易被击穿，有很大成效避免了因浪涌电压击穿而导致的电路毛病。经过选用压敏电阻VR1 VR4和绕线组成四级防护电路来逐级下降差模浪涌电压，使终究抵达后端电路的电压在安全范围内，然后维护后端电路免受高差模浪涌电压的危害，进步模组的耐差模浪涌应受力，使其耐差模浪涌应受力高达6KV以上。本请求有用进步了AC线性模组的抗浪涌耐高压应受力。

  天眼查资料显现，深圳市斯迈得半导体有限公司，成立于2009年，坐落深圳市，是一家以从事电气机械和器件制造业为主的企业。企业注册本钱10600万人民币，实缴本钱5000万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳市斯迈得半导体有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目5次，知识产权方面有商标信息8条，专利信息231条，此外企业还具有行政许可11个。

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